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Kaskodenbausteine aus Si-MOSFET und SiC-JFET
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Silicon Carbide CoolSiC MOSFETs & Diodes - Infineon Technologies | Mouser
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MOSFET, N-CH, 1.2KV, 72A, TO-247N, Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs  Transistoren, 1 Stück, SCT3030KLGC11 : Amazon.de: Gewerbe, Industrie &  Wissenschaft
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SiC-MOSFET vs. Si-IGBT: Vorteile von SiC-MOSFET | Arrow.de
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Silicon Carbide (SiC) Power Modules | Microchip Technology
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650 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs - STMicro | Mouser
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Potens Semiconductor präsentiert SiC Produkt-Roadmap: Zukunftspläne für SiC  MOSFETs und SiC Schottky Dioden enthüllt - Blume Elektronik
Potens Semiconductor präsentiert SiC Produkt-Roadmap: Zukunftspläne für SiC MOSFETs und SiC Schottky Dioden enthüllt - Blume Elektronik

Infineon erweitert CoolSiC™-Portfolio um 2 kV-Spannungsklasse und  ermöglicht für 1500-VDC-Systeme höchste Leistungsdichte - Infineon  Technologies
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650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation - Toshiba |  Mouser
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SiC-MOSFETs und Si-IGBT-Technologie im Vergleich: Welches Material ist am  besten für Traktionsumrichter geeignet? | e+i Elektrotechnik und  Informationstechnik
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Siliziumkarbid-Halbleiter auf der Überholspur
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In welchen Bereichen SiC-MOSFETs Vorteile bieten
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Präziser Einblick ins Innerste von Siliziumkarbid-MOSFETs
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Switching characteristics of Si MOSFET with fast body diode at higher... |  Download Scientific Diagram
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Siliziumkarbid-Leistungsmodule | Semikron Danfoss
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1200-V-EliteSiC-MOSFETs (Siliziumkarbid) - onsemi | Mouser
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Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs - Infineon Technologies
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GeneSiCs branchenführende 6,5-kV-SiC-MOSFETs – die Avantgarde für eine neue  Welle von Anwendungen
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Das unterscheidet die Bauelementekonzepte GaN, SiC, Superjunction
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Bare-Die-Siliziumkarbid-MOSFETs | Coherent
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Siliziumkarbid-MOSFETs | Coherent
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NVH4L060N090SC1 Onsemi, Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins | Farnell DE
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MD200HFR120C2S Starpower, Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke  | Farnell DE
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Effizientere Schaltnetzteile durch SiC-MOSFETs | DigiKey
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Tiefe Einblicke in die Gen 4 - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
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Optimierte CoolSiC™ MOSFETs 650 V im D²PAK-Gehäuse reduzieren Verluste in  der Anwendung und erhöhen die Zuverlässigkeit im Betrieb - Infineon  Technologies
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M3S 1.200-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs - onsemi | Mouser
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