![UJ3C065030B3 | United Silicon Carbide SiC-MOSFET-Kaskode, Einfach - N-Kanal, 650V, 66A, D2PAK-3 | Distrelec Deutschland UJ3C065030B3 | United Silicon Carbide SiC-MOSFET-Kaskode, Einfach - N-Kanal, 650V, 66A, D2PAK-3 | Distrelec Deutschland](https://www.distrelec.de/Web/WebShopImages/portrait_medium/1-/01/United%20Silicon%20Carbide-UF3C065040B3-30151441-01.jpg)
UJ3C065030B3 | United Silicon Carbide SiC-MOSFET-Kaskode, Einfach - N-Kanal, 650V, 66A, D2PAK-3 | Distrelec Deutschland
![United Silicon Carbide: SiC-Kaskoden als Drop-in-Ersatz für MOSFETs und IGBTs - Leistungshalbleiter - Elektroniknet United Silicon Carbide: SiC-Kaskoden als Drop-in-Ersatz für MOSFETs und IGBTs - Leistungshalbleiter - Elektroniknet](https://cdn4.weka-fachmedien.de/thumbs/media_uploads/images/1530694330-290-worbqetan.jpg.1280x0.webp)
United Silicon Carbide: SiC-Kaskoden als Drop-in-Ersatz für MOSFETs und IGBTs - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
![DAS 2020 Text 8 - Folien - Vorlesung 8 Kaskode und Spannungsverstärker (Source-Schaltung) (common - Studocu DAS 2020 Text 8 - Folien - Vorlesung 8 Kaskode und Spannungsverstärker (Source-Schaltung) (common - Studocu](https://d20ohkaloyme4g.cloudfront.net/img/document_thumbnails/c6ad499289defbc335496423da748a0e/thumb_300_424.png)
DAS 2020 Text 8 - Folien - Vorlesung 8 Kaskode und Spannungsverstärker (Source-Schaltung) (common - Studocu
![Niederspannungsschaltgeräte: Einsatz intelligenter Halbleiterschalter als Teil einer Kaskodenschaltung mit SiC - JFETS - Tagungsbeiträge - VDE VERLAG Niederspannungsschaltgeräte: Einsatz intelligenter Halbleiterschalter als Teil einer Kaskodenschaltung mit SiC - JFETS - Tagungsbeiträge - VDE VERLAG](https://www.vde-verlag.de/buecher/thumbs2/452922.jpg)