So unterscheiden sich GaN- und SiC-Transistoren
Produkte aus Siliziumcarbid (SiC) - Eigenschaften und Anwendungen - Littelfuse
650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation - Toshiba | Mouser
Präziser Blick ins Innerste von Transistoren hilft Energie sparen - FAU Naturwissenschaftliche Fakultät
onsemi NVH NVHL040N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 60 A, 3-Pin TO-247 | RS
1700-V-SiC-MOSFETs und -Dioden – Wolfspeed | DigiKey
SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 3): Optimierungspotenzial bei SiC-MOSFETs - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
Automobilstandard-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs - STMicro | Mouser
Silicon Carbide (SiC) Power Modules | Microchip Technology
Silizium-Transistor, Silizium-Transistormodul - alle Hersteller aus dem Bereich der Industrie
Siliziumkarbid-MOSFETs - Micro Commercial Co | DigiKey
1200-V-EliteSiC-MOSFETs (Siliziumkarbid) - onsemi | Mouser
Infineon erweitert CoolSiC™-Portfolio um 2 kV-Spannungsklasse und ermöglicht für 1500-VDC-Systeme höchste Leistungsdichte - MED-engineering
Präziser Einblick ins Innerste von Siliziumkarbid-MOSFETs
Geringere Verluste mit 650-V-Siliziumcarbid-FETs | Elektor Magazine
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs - STMicro | Mouser
Siliziumkarbid(SiC)-Halbleiter - Microchip Technology | Mouser
So unterscheiden sich GaN- und SiC-Transistoren
Rohm SCT2450KE
650 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs - STMicro | Mouser
onsemi NTH NTH4L040N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 58 A, 4-Pin TO-247-4 | RS
MOSFET, N-CH, 1,2 KV, 17,3 A, TO-247, Siliziumkarbid (SiC) MOSFET- Transistoren, 1 Stück | NVH4L160N120SC1 : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft
Mehr E-Auto-Reichweite: Antriebsstrang mit SiC-Halbleitern verbessert
UnitedSiC UF3C120040K4S SiC Cascode
Produkte aus Siliziumcarbid (SiC) - Eigenschaften und Anwendungen - Littelfuse
MOSFET-Transistor - SCT4013DR - ROHM Semiconductor - Leistung / Schalt / Silizium
