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ZF schließt mit STMicroelectronics Vertrag über Lieferung von  SiC-Halbleitern
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Die neue Generation kann mehr - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
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Silizium versus Siliziumkarbid: zwei MOSFETs im Vergleich
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Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs - STMicro | Mouser
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Bare-Die-Siliziumkarbid-MOSFETs | Coherent
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SiC MOSFET Vth Measurement for JEP183 | Keysight
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SiC: Leistungsvergleich zwischen IGBT und SiC Gen4
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Dritte SiC-MOSFET-Generation von Toshiba: Schalt- und Durchlassverluste  deutlich gesenkt - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
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MD200HFR120C2S Starpower, Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke  | Farnell DE
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SiC-MOSFETs der dritten Generation bieten eine hohe Leistung
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In welchen Bereichen SiC-MOSFETs Vorteile bieten
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G3R™ 750-V-SiC-MOSFETs bieten beispiellose Leistung und Zuverlässigkeit
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FF6MR12KM1BOSA1 Infineon, Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach  n-Kanal | Farnell DE
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Microchip präsentiert ersten vollständig konfigurierbaren digitalen  Gate-Treiber für Siliziumkarbid-MOSFETs | Elektor Magazine
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MSC080SMA330B4: SiC-MOSFET N-Kanal, 3300 V, 41 A, Rds(on) 0,08 Ohm,  TO-247-4L bei reichelt elektronik
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Nexperia steigt in den SiC-MOSFET-Markt ein
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MOSFET, N-CH, 1.2KV, 30A, TO-263-7, Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs  Transistoren, 1 Stück | C3M0075120J : Amazon.de: Gewerbe, Industrie &  Wissenschaft
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900-V-EliteSiC (Siliziumkarbid)-MOSFETs - onsemi | Mouser
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Siliziumkarbid-MOSFETs - Micro Commercial Co | DigiKey
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SiC-MOSFET - Produkte - Littelfuse
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Infineon erweitert CoolSiC™-Portfolio um 2 kV-Spannungsklasse und  ermöglicht für 1500-VDC-Systeme höchste Leistungsdichte - MED-engineering
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Neue SiC-MOSFET-Generation von Rohm: Tiefe Einblicke in die Gen 4 -  Leistungshalbleiter - Elektroniknet
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Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - Henan überlegene Schleifmittel
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1200-V-EliteSiC-MOSFETs (Siliziumkarbid) - onsemi | Mouser
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In welchen Bereichen SiC-MOSFETs Vorteile bieten
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Siliziumkarbid-Leistungsmodule | Semikron Danfoss
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Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs - STMicro | Mouser
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